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H5MS1G22MFP-E3M 参数 Datasheet PDF下载

H5MS1G22MFP-E3M图片预览
型号: H5MS1G22MFP-E3M
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内容描述: 1Gbit的移动DDR SDRAM的基础上8M X 4Bank X32的I / O [1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 63 页 / 2455 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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移动DDR SDRAM的1Gbit ( 32M X 32位)
H5MS1G22MFP系列/ H5MS1G32MFP系列
1GB的移动DDR SDRAM订购信息
产品型号
H5MS1G22MFP-E3M
1)
H5MS1G22MFP-J3M
1)
H5MS1G22MFP-K3M
1)
H5MS1G22MFP-L3M
1)
H5MS1G32MFP-E3M
2)
H5MS1G32MFP-J3M
2)
H5MS1G32MFP-K3M
2)
H5MS1G32MFP-L3M
2)
时钟频率
200MHz的( CL3 ) / 83MHz的( CL2 )
166MHz的( CL3 ) / 83MHz的( CL2 )
133MHz的( CL3 ) / 83MHz的( CL2 )
100MHz的( CL3 ) / 66MHz的( CL2 )
200MHz的( CL3 ) / 83MHz的( CL2 )
166MHz的( CL3 ) / 83MHz的( CL2 )
133MHz的( CL3 ) / 83MHz的( CL2 )
100MHz的( CL3 ) / 66MHz的( CL2 )
2KByte
(还原)
4KByte
(普通)
4banks X的8Mb
x 32
页面大小组织
接口
LVCMOS
90球FBGA
无铅
1 ) H5MS1G22MFP : 268435456位银行的组织结构行8,192 1,024列32位。
2 ) H5MS1G32MFP : 268435456位银行的组织结构为16,384行512列32位。 -
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修订版1.2 / 2008年6月
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