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    H5MS1G22MFP-E3M 参数 Datasheet PDF下载

    H5MS1G22MFP-E3M图片预览
    型号： H5MS1G22MFP-E3M
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1Gbit的移动DDR SDRAM的基础上8M X 4Bank X32的I / O [1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
    文件页数/大小： 63 页 / 2455 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第1页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第3页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第4页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第6页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第7页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第8页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第9页  
    移动DDR SDRAM的1Gbit （ 32M X 32位）
    H5MS1G22MFP系列/ H5MS1G32MFP系列
    海力士H5MS1G （ 2/3） 2MFP系列具有自动TCSR的特殊的低功耗功能（温度补偿
    自刷新），以降低自刷新电流消耗。由于内部温度传感器来实现，它ENA-
    统计局根据温度，无需外部EMRS命令自动调节刷新率。
    深度掉电模式是一个额外的操作模式为低功耗DDR SDRAM （移动DDR SDRAM ） 。此模式
    可以通过断电来在低功耗DDR SDRAM存储器阵列最大功率达到降低
    （移动DDR SDRAM ） 。通过使用此功能，该系统可切断几乎所有的DRAM功率而不会增加成本
    电源开关和放弃母板上电源线布置灵活。
    所有的输入都是LVCMOS兼容。设备将有一个V
    DD
    和V
    DDQ
    1.8V的电源（标称值） 。
    海力士H5MS1G （ 2/3） 2MFP系列提供以下包：
    -
    90球FBGA [大小：采用8mm x 13毫米，T = 1.0毫米MAX]
    修订版1.2 / 2008年6月
    5

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