HY29F002TC-90 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HY29F002TC-90
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内容描述：	2兆位（ 256K ×8 ）， 5伏只，闪存 [2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	38 页 / 381 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

HY29F002T

表3. HY29F002T总线的运行需要高电压

1, 2

手术

部门保护

部门撤消

临时机构

撤消

制造商代码

器件代码

扇形

保护

验证

无保护

保护

权证＃

OE ＃

WE＃

- [R （E S）（E T）＃

A[17: 13]

A[9]

A[6]

A[1]

A[0]

DQ [7：0 ]

0xAD

0xB0

0x00

0x01

注意事项：

1. L = V

，H = V

， X =无关。见DC特性的电压等级。

不指定2.地址位无关。

3.见文以获取更多信息。

4， SA =扇区地址。见表1 。

本文档中的“设备命令”部分

提供特定的设备命令的详细信息

在HY29F002T实施。

输出禁用操作

当OE ＃输入为V

从输出数据

装置处于关闭状态，并在数据总线管脚被放置

在高阻抗状态。

待机操作

当系统不读取或写入到

在HY29F002T ，它可以将设备放置在

待机模式。在这种模式下，电流消耗

灰大大降低，并且在数据总线输出

被置于高阻抗状态， indepen-

凹陷的OE ＃输入。待机模式

调用使用两种方法。

该器件进入

CE＃ CMOS待机

模式

如果CE ＃和RESET ＃引脚均保持在V

± 0.5V 。注意，这是一个更受限制的电压

范围比V

。如果两个CE ＃和RESET ＃举行

高，但不是在V

±0.5V ，该设备将

在

CE＃ TTL待机

模式，但待机

电流将更大。

该器件进入

RESET ＃ CMOS待机

当RESET ＃引脚保持在V模式

± 0.5V.

如果RESET ＃举行，但没有在V低

± 0.5V,

该HY29F002T将在

RESET ＃ TTL

待机

模式，但待机电流将

更大的。请参阅硬件复位操作部分

关于复位操作的附加信息。

该设备需要接入标准时间（t

）的

读访问时，该设备在任一

待机模式中，它准备读数据之前。如果

删除或亲中取消选择器件

编程，它继续吸引有功电流，直到

操作完成。

硬件复位操作

在RESET ＃引脚提供的硬件方法

该装置复位到读出阵列的数据。当

在RESET ＃引脚被拉低最低

指定时间内，该装置立即termi-

止数据中的任何操作，三态数据

总线引脚，而忽略了所有的读/写命令

在RESET ＃脉冲的持续时间。该设备还

内部状态机复位到读阵列

数据。如果操作是由AS-中断

的复位＃插入可以，但是应当一次重新开始

该设备已准备好接受另一个命令

序，以确保数据的完整性。

电流减小为的RESET ＃持续时间

如在待机操作说明脉冲节

和灰上面。

如果RESET ＃是在编程或擦除断言

工作时，内部复位操作完成

吨的时间内

准备

（在自动Algo-

rithms ）。该系统可以执行一个读或写

等待至少吨的后操作

准备

直到吨

后RESET ＃引脚恢复高电平，而─

以往更长。如果RESET ＃是断言，当一家亲

克或擦除操作不执行，则重新

修订版4.1 / 5月1日

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