HY29F002T
信号说明
名字
A[17:0]
DQ [7：0 ]
权证＃
TYPE
描述
地址，高电平有效。
这些18输入选择262,144一（ 256K ）
输入
该阵列的读或写操作中的字节。 A [ 17 ]的MSB和A [ 0]
LSB的。
输入/输出
数据总线，高电平有效
。这些引脚提供一个8位的数据路径，读取和
三州
写操作。
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
输入
WRI TE数据的HY29F002T 。当GH嗨，数据总线I S三-stated和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。这个输入必须置为读操作
输入
和否定的写操作。当从设备的高，数据输出
残疾人和数据总线引脚被置于高阻抗状态。
W R ITE简体A，B文件，一个C TIV é 1。·瓦特
C 0 ntro LS WRI TI NG ofco MMA届sorco MMA次
输入
SE Q UE NCE中ER RD为P RO克RA MDA TA orpe RFO RM澳索岭TI Ø纳秒。一个WRI TE
操作发生时， WE＃为有效，而CE＃为低和OE ＃为高电平。
hardw是复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY29F002T到读阵列状态。当设备被立即复位，它
输入
终止正在进行的任何操作。数据总线为三态，所有的读/写
命令会被忽略，而输入为有效。当RESET ＃是断言，
该设备将处于待机模式。
5伏（标称值）的电源。
--
--
POW ER和信号地。
OE ＃
WE＃
RESET＃
V
CC
V
SS
存储器阵列组织
256 Kbyte闪存阵列是由
成七块称为
扇区
(S0, S1, . . . ,
骤S6）。一个扇区是可以的最小单位
擦除和可被保护，以防止
意外或未经授权的删除。看到“巴士
操作'和'命令定义“部分
本文对这些额外信息
功能。
表1. HY29F002T内存阵列组织
扇形
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
SIZ ê
（千字节）
64
64
64
32
8
8
16
扇区地址
在HY29F002T ，四个行业，其中的COM
奖品
引导块，
大小不等，从8到32
千字节，而其余三个行业是
在64字节大小均匀。在该装置中，所述
引导块位于所述地址的顶部
范围内。
表1定义了扇区地址和corre-
应的地址范围为HY29F002T 。
地址范围
A[14]
X
X
X
X
0
0
1
A[13]
X
X
X
X
0
1
X
0x00000 - 0x0FFFF
0x10000处 - 0x1FFFF
地址0x20000 - 0x2FFFF
0x30000 - 0x37FFF
0x38000 - 0x39FFF
0x3A000 - 0x3BFFF
0x3C000 - 0x3FFFF
A[17]
0
0
1
1
1
1
1
A[16]
0
1
0
1
1
1
1
A[15]
X
X
X
0
1
1
1
4
修订版4.1 / 5月1日
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
