HY29F002T
表2. HY29F002T普通公交车运营
1
手术
读
写
输出禁用
CE＃ TTL待机
CE＃ CMOS待机
硬件复位（ TTL待机）
硬件复位（ CMOS待机）
CE＃
L
L
L
H
V
CC
± 0.5V
X
X
OE ＃
L
H
H
X
X
X
X
WE＃
H
L
H
X
X
X
X
RESET ＃
H
H
H
H
V
CC
± 0.5V
L
V
SS
± 0.5V
A[17:0]
A
IN
A
IN
X
X
X
X
X
DQ [7：0 ]
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X =无所谓，D
OUT
=数据输出，D
IN
=数据输入。见DC特性的电压等级。
巴士业务
设备总线操作是通过启动
内部命令寄存器，它由套
存储的命令，连同锁存器
地址和数据信息，如果有的话，需要
执行特定命令。命令
注册本身并不占用任何寻址
存储器位置。该命令的内容
寄存器作为输入，内部状态马
折角的输出控制的操作
装置。表2列出了公交车的正常运营，
的输入，并且它们需要控制的水平，并且
结果输出。某些总线操作要求
高电压上的一个或多个管脚。那些
在表3中描述。
读操作
数据从HY29F002T通过使用标读
准微处理器读周期，同时把
的字节的地址被读取关于设备的
地址输入， A [ 17 ： 0 ] 。如表2所示，该
主机系统必须驱动CE ＃和OE ＃输入
低和驱动WE＃高一个有效的读操作
化发生。该器件输出的试样
上的DQ田间阵列数据[7：0 ] 。
该HY29F002T被读取自动设置
之后，设备上电和后硬阵列数据
器复位，以确保没有虚假改造
电源转录过程中发生了存储器内容
习得。没有命令是必要的，此模式
获取数组数据，以及设备保持启用
对于读访问，直到该命令寄存器可
帐篷被改变。
该器件具有擦除挂起模式。
在此模式下，主机可以读出的数组
修订版4.1 / 5月1日
从数据或程序数据转换成的任何扇区
未标记为删除的记忆。如果主机
试图从一个地址的即先擦内读
悬挂方面，或在设备perform-
荷兰国际集团擦除或字节编程，单片机
副输出状态数据，而不是阵列的数据。后
在完成编程操作中的擦除
暂停模式中，系统可以再次读
用相同的例外阵列数据如上所述。
在完成内部程序或内部后
擦除算法，该HY29F002T自动重新
轮流读阵列数据模式。
主机必须发出硬件复位或软
洁具复位命令（参见命令定义）
到扇区返回到读阵列数据模式，如果
DQ [5]云在节目高或擦除周期，
或将设备返回到读阵列数据模式
而它是在电子识别模式。
写操作
某些操作，包括编程数据
和擦除的存储扇区，需要主机
写命令或命令序列的
HY29F002T 。写入到设备中进行
通过将一个字节地址在设备的AD-
裙输入，而将要写入的数据被输入
上的DQ [7：0 ] 。主机系统必须驱动CE＃
和WE ＃引脚为低电平，并推动OE ＃高的一个有效
写操作发生。所有的地址都
锁存WE＃或CE ＃下降沿，而─
后来没发生过。所有的数据被锁存的利培
荷兰国际集团的WE＃或CE ＃ ，先发生者为准边缘。
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HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
