HY29LV160
框图
DQ [15：0 ]
A[19:0], A-1
状态
控制
DQ [15：0 ]
WE＃
CE＃
OE ＃
BYTE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
节目
电压
发电机
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
I / O控制
I / O缓冲器
数据锁存器
V
C C
探测器
定时器
A[19:0], A-1
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
16 MB闪存
内存
ARRAY
信号说明
名字
A[19:0]
DQ[15]/A[-1],
DQ [14 ：0]
BY TE ＃
CE＃
TYPE
输入
描述
地址，高电平有效。
这20个输入，结合DQ [ 15 ] / A [-1]输入
字节模式，阵列的读或写操作中选择一个位置。
数据总线，高电平有效
。这些引脚为读取8位或16位数据通道
输入/输出
操作和写操作。在字节模式下， DQ [15] / A [-1]作为21位的LSB
三州
字节的地址输入。 DQ [14 ： 8 ]使用，仍在保持三态字节模式。
输入
输入
字节模式，低电平有效。
选择低字节模式下，选择高字模式。
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
写数据到HY 29LV160 。高电平时，数据总线为三态和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。断言读操作和否定的
写操作。按TE ＃判定是否一个字节或者在一个字被读出
读操作。
写使能，低电平有效。
控制写入命令或命令序列
为了编程数据或擦除存储器阵列的扇区。写操作
发生在WE＃为有效，而CE＃为低和OE ＃为高电平。
硬件复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY 29LV160到读阵列状态。当设备被立即复位，它
终止正在进行的任何操作。当RESET ＃是断言，设备
将处于待机模式。
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进展或已经完成。保持低水往往微不足道的设备正在积极
编程数据或擦除，并且变高，当它准备好读取阵列的数据。
3伏（标称值）的电源。
电源和信号地。
OE ＃
输入
WE＃
输入
RESET＃
输入
RY / BY ＃
V
CC
V
SS
产量
漏极开路
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修订版1.2 / 5月1日
3
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
