HY29LV160
约定
除非另有说明，一个正逻辑（活性
高）约定假定整个文档
精神疾病，由此存在下，在较高的引脚，则
更多的正电压（V
IH
）导致的断言
信号。下面的信号名称中的“＃ ”符号，例如，
RESET＃ ，表示该信号被认定在
低状态（V
IL
） 。见DC规格为V
IH
和V
IL
值。
存储器阵列组织
在16兆比特的闪存阵列被组织成
35块所谓的
扇区
（ S0，S1， ...， S34）。一
扇区是可以被擦除的最小单位和
可被保护，以防止意外的或未
授权擦除。看到“公交运营”和
本文档“命令定义”部分
有关这些功能的更多信息。
在HY29LV160 ，四个行业，其中的COM
奖品
引导块，
大小不等，从8到32
巴士业务
设备总线操作是通过启动
内部命令寄存器，它由套
存储的命令，连同锁存器
地址和数据信息，如果有的话，需要
执行特定命令。命令
注册本身并不占用任何寻址
存储器位置。该命令的内容
寄存器作为输入，内部状态马
折角的输出控制的操作
装置。表3列出了公交车的正常运营，
的输入，并且它们需要控制的水平，并且
结果输出。某些总线操作要求
高电压上的一个或多个管脚。那些
在表4中描述。
读操作
当一个信号被分成编号
位，例如，DQ [7] ，DQ [6 ]，...， DQ [ 0]中，家庭
位也可以共同地示出，例如，如
DQ [7：0 ] 。
指定0xNNNN （N = 0 ， 1，2， 。 。 。 ， 9 ，A 。
。 。 ， E， F）表示数表示在十六进
MAL简谱。指定0bXXXX表示
在二进制表示法表示数（X = 0,1） 。
千字节（4至16 K字） ，而剩余的31
部门是在64千字节大小均匀（ 32
K字） 。引导块可以位于所述
的地址范围的底部（ HY29LV160B ），或在
的地址范围（ HY29LV160T ）的顶部。
表1和2中定义的扇区地址和
对应的地址范围的顶部和底部
汤姆引导块的HY29LV160的版本。
器复位，以确保没有虚假改造
电源转录过程中发生了存储器内容
习得。没有命令是必要的，此模式
获取数组数据，以及设备保持启用
对于读访问，直到该命令寄存器可
帐篷被改变。
该器件具有擦除挂起模式。
在此模式下，主机可以读出的数组
从内存中未标明任何部门的数据
擦除。如果主机从一个地址读取
擦除暂停（或删除）部门，或
当设备执行一个字节或字的亲
克操作，设备输出状态数据
而不是阵列的数据。在完成一个自动后
在MATIC程序或自动擦除算法
一个扇区，该扇区会自动返回到
读阵列数据模式。完成编程后，
明操作擦除挂起模式时，
系统可以再次读取与该数组数据
上述同样的异常说明。
主机必须发出硬件复位或软
器复位命令，一个扇区返回到读
如果DQ [5]变高亲在阵列中的数据模式
克或擦除周期，或者将设备返回到
读阵列数据模式，而它是在电子
ID模式。
数据从HY29LV160通过使用标读
准微处理器读周期，同时把
对设备的地址IN-字节或字地址
放。主机系统必须驱动CE ＃和
OE ＃引脚为低电平，驱动器和WE＃为高电平有效
读操作发生。该BYTE ＃引脚DE-
了是否在设备的输出数组数据
字（DQ [15： 0]） ，或以字节为单位（DQ [7： 0]）。
该HY29LV160被读取自动设置
之后，设备上电和后硬阵列数据
修订版1.2 / 5月1日
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HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
