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HY57V641620HGLT-SI 参数 Datasheet PDF下载

HY57V641620HGLT-SI图片预览
型号: HY57V641620HGLT-SI
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内容描述: 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 146 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V641620HG
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度
时间
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD,
V
DDQ
I
OS
P
D
T
SOLDER
符号
-40 ~ 85
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260
10
等级
°C
°C
V
V
mA
W
°C ⋅
美国证券交易委员会
单位
注意:
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响
DC工作条件
( TA = -40至85°C )
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
3.0
2.0
V
SSQ
- 2.0
典型值。
3.3
3.0
0
最大
3.6
V
DDQ
+ 2.0
0.8
单位
V
V
V
1,2
1,3
1,4
注意:
1.所有电压参考V
SS
= 0V
2.VDD (分) HY57V641620HG ( L)的T- 5I / 55I / 6I为3.135V
3.V
IH
(max)是可接受的5.6V的交流脉冲宽度与
≤3ns
持续时间
4.V
IL
(分钟)是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度
≤3ns
持续时间
交流工作条件下
( TA = -40〜 85°C ,V
DD
=3.3
±
0.3V
Note2
, V
SS
=0V)
参数
AC输入高/低电平电压
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载电容的访问时间测量
符号
V
IH
/ V
IL
VTRIP
TR / TF
Voutref
CL
价值
2.4/0.4
1.4
1
1.4
50
单位
V
V
ns
V
pF
1
注意:
1.输出负载来测量访问时间相当于两个TTL门和一个电容( 50pF的)
有关详细信息,请参阅AC / DC输出电路
2.VDD (分) HY57V641620HG ( L)的T- 5I / 55I / 6I为3.135V
1.0版/一月02
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