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HY57V641620HGLT-SI 参数 Datasheet PDF下载

HY57V641620HGLT-SI图片预览
型号: HY57V641620HGLT-SI
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内容描述: 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 146 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V641620HG
电容
( TA = 25°C , F = 1MHz的)
参数
输入电容
CLK
A0 〜 A11 , BA0 , BA1 , CKE , CS , RAS ,
CAS,WE , UDQM , LDQM
数据输入/输出电容
DQ0 〜 DQ15
符号
C
I1
CI
2
C
I / O
2
2.5
2
最大
4
5
6.5
单位
pF
pF
pF
输出负载电路
Vtt=1.4V
RT=250
产量
产量
50pF
50pF
DC输出负载电路
AC输出负载电路
DC特性I
( TA = -40〜 85°C ,V
DD
=3.3
±
0.3V
Note3
)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
符号
分钟。
-1
-1
2.4
-
最大
1
1
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
1
2
I
OH
= -4mA
I
OL
= + 4毫安
注意:
1.V
IN
= 0至3.6V ,所有其他引脚没有在V测试
IN
=0V
2.D
OUT
被禁用,V
OUT
= 0〜 3.6
1.0版/一月02
5