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HY57V641620HGLT-SI 参数 Datasheet PDF下载

HY57V641620HGLT-SI图片预览

型号：	HY57V641620HGLT-SI
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	12 页 / 146 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

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HY57V641620HG

交流特性II

参数

Symbo

l

-5I

民

55

60

15

最大

-

-

-

-55I

民

55

60

16.5

最大

-

-

-

-6I

最小最大

60

60

18

42

18

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1

0

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5

2

0

2

3

-

-

-

100

K

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

民

62

62

20

42

20

14

1

0

2

4

2

0

1

3

-7I

最大

-

-

-

120K

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-

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-

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-

-

-

-

-

-KI

民

65

65

15

45

15

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1

0

2

4

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1

3

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-

-

-

120K

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-

-

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-

-

-

-

-

-

嗨

民

65

65

20

45

20

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1

0

2

4

2

0

1

3

最大

-

-

-

120K

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-8I

最小最大

68

68

20

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20

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1

0

2

5

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0

2

3

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-

-

100

K

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-PI

民

70

70

20

50

20

20

1

0

2

3

2

0

1

3

最大

-

-

-

120K

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-SI

单位

民

70

70

20

50

20

20

1

0

2

3

2

0

1

3

最大

-

-

-

120K

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

ns

ns

ns

ns

ns

ns

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

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记

RAS周期

时间

手术

自动刷新

t

RC

t

RRC

t

RCD

t

RAS

t

RP

t

RRD

t

CCD

t

WTL

t

DPL

t

DAL

t

DQZ

t

DQM

t

MRD

t

PROZ

3

t

PROZ

2

t

PDE

t

SRE

t

REF

RAS到CAS延迟

RAS活动时间

RAS预充电时间

RAS到RAS银行活动

延迟

CAS到CAS延迟

写命令数据在

延迟

数据进行预充电

命令

输入数据为ACTIVE命令

DQM到数据输出高阻

DQM到数据输入掩码

黄新建命令

CAS延迟

=3

CAS延迟

=2

38.5 100K 38.5 100K

15

10

1

0

2

5

2

0

2

3

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

16.5

11

1

0

2

5

2

0

2

3

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

预充电到

数据输出

高阻

2

1

1

-

-

-

-

64

2

1

1

-

-

-

-

64

2

1

1

-

-

-

-

64

2

1

1

-

-

-

-

64

2

1

1

-

-

-

-

64

2

1

1

-

-

-

-

64

2

1

1

-

-

-

-

64

2

1

1

-

-

-

-

64

2

1

1

-

-

-

-

64

CLK

CLK

CLK

ms

1

掉电退出时间

自刷新退出时间

刷新时间

注意：

1.新的命令可以自刷新退出后给予TRRC

1.0版/一月02

8

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