HY57V643220D （L / S ）， T（ P）系列
4Banks X 512K X 32位同步DRAM
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于VSS的电压
在VDD相对于VSS的电压
在相对于VSS的电压VDDQ
短路输出电流
功耗
焊接温度
.
时间
符号
TA
TSTG
VIN，VOUT
VDD
VDDQ
IOS
PD
Tsolder
等级
-40 ~ 85
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260
.
10
单位
o
C
o
C
V
V
V
mA
W
o
C
.
美国证券交易委员会
DC工作条件
(T
A
= -40〜 85
o
C
)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VDD ， VDDQ
VIH
VIL
民
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
3.3
-
最大
3.6
VDDQ+0.3
0.8
单位
V
V
V
记
1
1, 2
1, 3
注： 1.所有电压参考V
SS
= 0V
2. V
IH
（max）是可接受的5.6V的交流脉冲宽度以＆lt ;持续时间= 3纳秒。
3. V
IL
（分钟）是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度与持续时间< =为3ns
AC运行试验条件
(T
A
= -40〜 85
o
C,
V
DD
=3.3±0.3V, V
SS
=0V)
参数
AC输入高/低电平电压
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出时序测量参考电平电压
输出负载电容的访问时间测量
符号
VIH / VIL
VTRIP
TR / TF
Voutref
CL
价值
2.4/0.4
1.4
1
1.4
30
单位
V
V
ns
V
pF
记
电容
(T
A
= -40〜 85
o
C,
F = 1MHz时， V
DD
=3.3V)
参数
CLK
输入电容
数据输入/输出电容
A0 〜 A10 ， BA0 ， BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS，WE ，
DQM 0 〜 3
DQ0 〜 DQ31
针
符号
CI1
CI2
CI / O
民
2.5
2.5
4
最大
3.5
3.8
6.5
单位
pF
pF
pF
修订版0.3 / 2004年9月
7
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
