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    HY57V643220DT-7 参数 Datasheet PDF下载

    HY57V643220DT-7图片预览
    型号： HY57V643220DT-7
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Banks X 512K X 32位同步DRAM [4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
    文件页数/大小： 13 页 / 219 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第9页  
    HY57V643220D （L / S ）， T（ P）系列
    4Banks X 512K X 32位同步DRAM
    引脚功能描述
    针
    CLK
    CKE
    CS
    BA0 ， BA1
    A0 ~ A10
    时钟
    时钟使能
    芯片选择
    银行地址
    地址
    行地址选通，
    列地址选通，
    写使能
    数据输入/输出面膜
    数据输入/输出
    电源/接地
    数据输出功率/
    地
    无连接
    引脚名称
    描述
    系统时钟输入。所有其它输入都被注册到
    的SDRAM在CLK的上升沿。
    控制内部时钟信号和去激活时， SDRAM的意志
    跻身断电的国家之一，暂停或自刷新
    启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入
    选择银行RAS活动期间激活
    CAS活动期间选择银行进行读/写
    行地址： RA0 〜 RA10 ，列地址： CA0 〜 CA7
    自动预充电标志： A10
    RAS ， CAS和WE定义操作
    请参阅功能真值表细节
    控制输出缓冲器中读取模式和口罩输入数据的写入
    模式
    复用的数据输入/输出引脚
    电源为内部电路和输入缓冲器
    电源，输出缓冲器
    无连接
    RAS ， CAS ， WE
    DQM0~3
    DQ0 〜 DQ31
    VDD / VSS
    VDDQ / VSSQ
    NC
    修订版0.3 / 2004年9月
    4

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