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    HY57V643220DT-7 参数 Datasheet PDF下载

    HY57V643220DT-7图片预览
    型号： HY57V643220DT-7
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Banks X 512K X 32位同步DRAM [4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
    文件页数/大小： 13 页 / 219 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第11页浏览型号HY57V643220DT-7的Datasheet PDF文件第12页  
    HY57V643220D （L / S ）， T（ P）系列
    4Banks X 512K X 32位同步DRAM
    注： 1 。
    Vtt=1.4V
    Vtt=1.4V
    RT=500
    Ω
    RT=50
    Ω
    产量
    30pF
    产量
    Z0 = 50Ω
    30pF
    DC输出负载电路
    AC输出负载电路
    DC特性的研究我
    (T
    A
    = 0至70
    o
    C)
    参数
    输入漏电流
    输出漏电流
    输出高电压
    输出低电压
    注意：
    1. VIN = 0至3.6V ，其他所有的球都没有VIN = 0V下测试
    2. DOUT被禁用时， VOUT = 0〜 3.6
    符号
    I
    LI
    I
    LO
    V
    OH
    V
    OL
    民
    -1
    -1
    2.4
    -
    最大
    1
    1
    -
    0.4
    单位
    uA
    uA
    V
    V
    记
    1
    2
    I
    OH
    = -2mA
    I
    OL
    = + 2毫安
    修订版0.3 / 2004年9月
    8

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