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    HY57V651620B 参数 Datasheet PDF下载

    HY57V651620B图片预览
    型号： HY57V651620B
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    内容描述： 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 83 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第11页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第12页  
    HY57V651620B(L)TC-10S
    CAS
    潜伏期
    100MHz(10ns)
    83MHz(12ns)
    66MHz(15ns)
    3CLKs
    2CLKs
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    tRCD的
    3CLKs
    2CLKs
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    tRAS的
    5CLKs
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    4CLKs
    TRC
    8CLKs
    7CLKs
    6CLKs
    激进党
    3CLKs
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    TAC
    6ns
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    TOH
    3ns
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    57V651620B(L)TC-10
    CAS
    潜伏期
    100MHz(10ns)
    83MHz(12ns)
    66MHz(15ns)
    3CLKs
    2CLKs
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    tRCD的
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    5CLKs
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    4CLKs
    TRC
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    6CLKs
    激进党
    3CLKs
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