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    HY57V651620B 参数 Datasheet PDF下载

    HY57V651620B图片预览
    型号： HY57V651620B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 83 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第11页浏览型号HY57V651620B的Datasheet PDF文件第12页  
    HY57V651620B
    AC特性I
    -55
    参数
    符号
    民
    手术
    中，R a周期时间
    自动刷新
    最大
    -
    民
    60
    最大
    -
    民
    70
    最大
    -
    民
    65
    最大
    -
    民
    68
    最大
    -
    民
    70
    最大
    -
    民
    70
    最大
    -
    民
    80
    最大
    -
    ns
    -6
    -7
    -75
    -8
    -10P
    -10S
    -10
    单位
    记
    t
    R C
    t
    R R ç
    t
    R C ð
    t
    中，R a
    t
    ; R P
    t
    R R Ð
    t
    Ç C D
    t
    W¯¯ T L
    t
    ð P L
    t
    ð A L
    t
    ð Q ž
    t
    ð Q·M·
    t
    M R Ð
    t
    P ，R 0 Z 3
    t
    P R 0 Z 2
    t
    P D E
    t
    S R ê
    t
    ř Ë ˚F
    55
    60
    -
    60
    -
    702
    -
    65
    -
    68
    -
    70
    -
    70
    -
    96
    -
    ns
    R A S到C A的拖延
    16.5
    -
    18
    -
    20
    -
    20
    -
    20
    -
    20
    -
    20
    -
    30
    -
    ns
    R A的主动时间
    38.5
    100K
    42
    100K
    42
    120K
    45
    100K
    48
    100K
    50
    100K
    50
    100K
    50
    100K
    ns
    RAS预充电时间
    16.5
    -
    18
    -
    20
    -
    20
    -
    20
    -
    20
    -
    20
    -
    30
    -
    ns
    R A S到R A银行主动延迟
    11
    -
    12
    -
    14
    -
    15
    -
    16
    -
    20
    -
    20
    -
    20
    -
    ns
    C A S到C A的拖延
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    CLK
    写命令数据在延迟
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    CLK
    数据到预充电命令
    2
    -
    2
    -
    1
    -
    2
    -
    2
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    CLK
    输入数据为ACTIVE命令
    5
    -
    5
    -
    4
    -
    5
    -
    5
    -
    3
    -
    3
    -
    4
    -
    CLK
    DQM到数据输出高阻
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    CLK
    DQM到数据输入掩码
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    0
    -
    CLK
    黄新建命令
    2
    -
    2
    -
    1
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    CLK
    Ç A S延迟= 3
    预充电到
    数据输出高阻
    Ç A S延迟= 2
    3
    -
    3
    -
    3
    -
    3
    -
    3
    -
    3
    -
    3
    -
    3
    -
    CLK
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    2
    -
    CLK
    掉电退出时间
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    CLK
    自刷新退出时间
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    1
    -
    CLK
    1
    刷新时间
    -
    64
    -
    64
    -
    64
    -
    64
    -
    64
    -
    64
    -
    64
    -
    64
    ms
    注意：
    1.新的命令可以自刷新退出后给予TRRC
    修订版1.9 / Apr.01
    8

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