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HY57V651620B 参数 Datasheet PDF下载

HY57V651620B图片预览
型号: HY57V651620B
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内容描述: 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 83 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V651620B
直流特性II
( T A = 0吨O 7 0
°
C
, V
D D
= 3 . 3
±
0 . 3 V
Note5
, V
SS
=0V)
速度
参数
符号
测试条件
-55
突发长度= 1 ,一家银行主动
t
RC
t
R C
( M | N ) ,我
0 1
= 0为m的
Ç K E特征
V
IL
(最大值),叔
C k的
=分钟
Ç K E特征
V
IL
(最大值),叔
C k的
=
-6
-7
-75
-8
-10P
-10S
-10
单位
工作电流
I
D D 1
120
110
100
90
80
70
700
80
mA
1
预充电待机电流
在掉电模式
I
D D 2 P
I
D D 2 P S
2
2
mA
mA
Ç K E特征
V
IH
( M | N ) , (C S)
V
I H
( M | N ) ,T
C k的
=分钟
I
D D 2 N
预充电待机电流
在非掉电模式
输入信号被改变一次
在2Clks 。所有其他引脚
V
DD
-
0.2V或
0.2V
Ç K E特征
V
IH
( M | N ) ,T
C k的
=
15
mA
I
D D 2北南
输入信号是稳定的。
Ç K E特征
V
IL
(最大值),叔
C k的
=分钟
Ç K E特征
V
IL
(最大值),叔
C k的
=
15
mA
主动待机电流
在掉电模式
I
D D 3 P
I
D D 3 P S
5
5
mA
mA
Ç K E特征
V
IH
( M | N ) , (C S)
V
I H
( M | N ) ,T
C k的
=分钟
I
D D 3 N
主动待机电流
在非掉电模式
输入信号被改变一次
在2Clks 。所有其他引脚
V
DD
-
0.2V或
0.2V
Ç K E特征
V
IH
( M | N ) ,T
C k的
=
30
mA
I
D D 3北南
30
mA
输入信号是稳定的。
t
C k的
t
C k的
( M | N )
突发模式工作电流
I
D D 4
I
0 1
= 0为m的
所有银行都主动
自动刷新当前
I
D D 5
CL=2
90
200
90
200
90
200
90
200
2
自刷新电流
I
D D 6
CKE
0.2V
500
uA
4
90
200
90
180
90
180
90
150
mA
mA
mA
2
3
CL=3
150
140
130
120
110
90
90
90
mA
1
t
R R ç
t
R R ç
( M | N ) ,A L L B A N K·S是C T I V ê
注意:
1.I
D D 1
A N D I
D D 4
取决于输出负载和循环率。规定值的测量与输出开路
2.Min 。 TRRC的( RAS刷新周期时间)显示在交流特性II
3.HY57V651620BTC-55/6/7/75/8/10P/10S/10
4.HY57V651620BLTC-55/6/7/75/8/10P/10S/10
5..VDD片HY57V651620B ( L) (分) TC -55 /6/7为3.135V
修订版1.9 / Apr.01
6