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ICE7N60 参数 Datasheet PDF下载

ICE7N60图片预览
型号: ICE7N60
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 605 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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初步数据表
ICE7N60
输出特性
20
V
GS
= 10〜 7V
传输特性
20
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
15
6V
15
10
10
5
5V
5
T
J
= 150˚C
25˚C
0
0
5
10
15
20
0
0
2
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极(V)的
10
在电阻与漏电流
1200
R
DS ( ON)
- 通态电阻(mΩ )
R
DS ( ON)
- 导通状态电阻
(归一化)
1000
800
V
GS
= 10V
在电阻与结温
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V
GS
= 10V
I
D
= 3.5A
600
400
200
0
0
5
10
15
I
D
- 漏电流( A)
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
V
GS ( TH)
- 栅极阈值电压
(归一化)
9
8
7
6
5
V
DS
= 480V
I
D
= 7A
栅极阈值电压VS结温
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250μA
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( ° C)
SP-7N60-000-3
05/15/2013
4