ICE7N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ICE7N60
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 605 K
品牌：	ICEMOS [ Icemos Technology ]

初步数据表

ICE7N60

ICEMOS超接面专利组合

ICEMOS授权专利

US7,429,772

US7,439,178

US7,446,018

US7,579,607

US7,723,172

US7,795,045

US7,846,821

US7,944,018

US8,012,806

US8,030,133

3D SEMI专利许可TO ICEMOS

US7,041,560B2

US7,023,069B2

US7,364,994

US7,227,197B2

US7,304,944B2

US7,052,982B2

US7,339,252

US7,410,891

US7,439,583

US7,227,197B2

US6,635,906

US6,936,867

US7,015,104

US9,109,110

US7,271,067

US7,354,818

US7,052,982,

US7,199,006B2

注：也被授予IceMOS和3D半在中国，韩国，日本，台湾，欧洲其他专利

超结MOSFET的同和70的附加专利申请过程中的美国上面列出的国家。

SP-7N60-000-3

05/15/2013

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