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    IS61LV6416-10T 参数 Datasheet PDF下载

    IS61LV6416-10T图片预览
    型号： IS61LV6416-10T
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    内容描述： 64K ×16高速CMOS静态与3.3 V电源RAM [64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 451 K
    品牌： ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
     浏览型号IS61LV6416-10T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IS61LV6416-10T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS61LV6416-10T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS61LV6416-10T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS61LV6416-10T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS61LV6416-10T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS61LV6416-10T的Datasheet PDF文件第8页  
    IS61LV6416
    AC WAVEFORMS
    WRITE CYCLE NO. 1 (WE Controlled)
    (1,2)
    WE
    
    t
    WC
    ADDRESS
    t
    SCE
    t
    HA
    CE
    t
    PWB
    !
    "
    LB, UB
    t
    AW
    t
    PWE
    WE
    t
    SA
    #
    $
    t
    HD
    WRITE
    (1)
    t
    SD
    D
    IN
    t
    HZWE
    t
    LZWE
    UNDEFINED
    HIGH-Z
    UNDEFINED
    HIGH-Z
    %
    &
    '
    
    
    
    D
    OUT
    Notes:
    1. WRITE is an internally generated signal asserted during an overlap of the LOW states on the
    CE
    and
    WE
    inputs and at least
    one of the
    LB
    and
    UB
    inputs being in the LOW state.
    2. WRITE = (CE)
    [
    (LB) = (UB)
    ]
    (WE).
    Integrated Circuit Solution Inc.
    SR013-0C
    7

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