IC41C16100A/IC41C16100AS
IC41LV16100A/IC41LV16100AS
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
•
•
•
•
扩展数据输出（ EDO ）页面模式存取周期
TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔： 1024次/ 16毫秒
刷新方式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
•单电源供电：
5V ± 10％ （ IC41C16100A （ S））的
3.3V±10 ％ （ IC41LV16100A （ S））的
•字节通过两个写和字节读取操作
CAS
描述
该
ICSI
IC41C16100A （S）和IC41LV16100A （S）是1048 ，
576 ×16位的高性能CMOS动态随机
存取存储器。这些器件提供了一个加速周期
进入所谓的EDO页面模式。 EDO页面模式让1024
随机的单个行内访问与访问周期时间
短按16位字为20 ns 。该字节写入控制上，
字节和低字节，使得16100系列适合用于
16-， 32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IC41C16100A （ S）和IC41LV16100A
（S）特别适用于高带宽图形，数字信号
处理，高性能计算系统，并
外设应用。
该IC41C16100A （S）和IC41LV16100A （S）被封装在一个
42引脚400mil SOJ和400mil 50-（ 44- ）引脚TSOP - 2 。
•自1024刷新周期为S版
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。 EDO页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
50 （44） -pin TSOP- 2
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
42引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
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DR030-0A 2001年9月28日
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