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IS62LV12816LL-70BI 参数 Datasheet PDF下载

IS62LV12816LL-70BI图片预览
型号: IS62LV12816LL-70BI
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内容描述: 128K ×16低电压,超低功耗CMOS静态RAM [128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 463 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS62LV12816L
IS62LV12816LL
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V - 3.6V
2.7V - 3.6V
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
V
CC
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
相关的Vcc与GND
储存温度
功耗
价值
-0.5〜 VCC + 0.5
-40至+85
-0.3到+4.0
-65到+150
1.0
单位
V
°C
V
°C
W
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值,器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL

I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压

输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -1毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.0
—
2.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
µA
µA
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
, O
UTPUTS
D
ISABLED
注意事项:
1. V
IL
(分) = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
集成电路解决方案公司
SR020-0C
3