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IS62LV12816LL-70BI 参数 Datasheet PDF下载

IS62LV12816LL-70BI图片预览
型号: IS62LV12816LL-70BI
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内容描述: 128K ×16低电压,超低功耗CMOS静态RAM [128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 463 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS62LV12816L
IS62LV12816LL
写周期开关特性
(1,2)
(以上经营范围)
符号
参数
写周期时间
CE
撰写完
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
LB , UB
有效到结束写入的
WE
脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
分钟。
55
50
50
0
0
45
45
25
0
—
5
-55
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
—
分钟。
70
65
65
0
0
60
60
30
0
—
5
-70
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
—
-100
MIN 。 MAX
100
80
80
0
0
80
80
40
0
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWB
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
!
WE
从低到高-Z输出
t
LZWE
!
WE
前高后低-Z输出
注意事项:
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间,定时1.3V的参考电平, 0.4V的输入脉冲电平为2.2V
并规定在图1的输出负载。
2.内部写入时间由的重叠限定
CE
低,并
UB
or
磅,
WE
低。所有信号必须在有效状态,以
开始写的,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了
上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
3.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。未经100%测试。
AC波形
写周期NO 。 1
(1,2)
(
CS ,
控制,
OE
=
高或低
)
t
WC
地址
有效的地址
t
SA
CS
t
SCS
t
HA
WE
t
AW
t
PWE1
t
PWE2
t
PWB
UB , LB
t
HZWE
D
OUT
数据中,未定义
高-Z
t
LZWE
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
注意事项:
1.写是低状态的重叠时内部产生的信号断言
CS
WE
输入端和至少
中的一个
LB
UB
投入低状态之中。
2.写= ( CS ) (
LB
)=( UB )]( WE) 。
集成电路解决方案公司
SR020-0C
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