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IS62LV12816LL-70BI 参数 Datasheet PDF下载

IS62LV12816LL-70BI图片预览
型号: IS62LV12816LL-70BI
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内容描述: 128K ×16低电压,超低功耗CMOS静态RAM [128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 463 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS62LV12816L
IS62LV12816LL
IS62LV12816LL电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
I
SB

VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
OR
ULB控制
I
SB
CMOS待机
电流( CMOS输入)
OR
ULB控制
测试条件
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
CC
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE
V
IH
, f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-55
分钟。马克斯。
—
—
—
—
40
45
0.4
1.0
-70
分钟。马克斯。
—
—
—
—
30
35
0.4
1.0
-100
分钟。马克斯。
—
—
—
—
20
25
0.4
1.0
单位
mA
mA
V
CC
=最大,V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
=
V
IL
, f = 0,
UB
=
V
IH
,
LB
=
V
IH
V
CC
=最大值, F = 0
CE
V
CC
– 0.2V,
V
IN
V
CC
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
—
—
10
15
—
—
10
15
—
—
10
15
µA
V
CC
=最大,
CE
=
V
IL
V
IN
0.2V , F = 0 ,
UB
/
LB
=
V
CC
– 0.2V
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
读周期开关特性
(1)
(以上经营范围)
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
分钟。
55
—
10
—
—
—
5
0
10
—
0
0
-55
马克斯。
—
55
—
55
30
20
—
20
—
55
25
—
分钟。
70
—
10
—
—
—
5
0
10
—
0
0
-70
马克斯。
—
70
—
70
35
25
—
25
—
70
25
—
-100
分钟。马克斯。
100
—
15
—
—
—
5
0
10
—
0
0
—
100
—
100
50
30
—
30
—
100
35
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
 
OE
到输出高阻态
t
LZOE
 
OE
以低Z输出
t
HZCE
 
CE
到输出高阻态
t
LZCE
 
CE
以低Z输出
t
BA
t
HZB
t
LZB
LB , UB
存取时间
LB , UB
Ø输出高阻态
LB。 UB
以低Z输出
注意事项:
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时1.3V的参考电平,输入脉冲电平
的0.4V至图1中指定的2.2V和输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。未经100%测试。
集成电路解决方案公司
SR020-0C
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