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IDT71321SA35J 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IDT71321SA35J
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内容描述: HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态对中断RAM [HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 255 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT7132SA / LA和IDT 7142SA / LA
高速2K ×8双端口静态RAM
军事,工业和商业温度范围
写周期第1时序波形, (R / W控制时序)
(1,5,8)
t
WC
地址
t
HZ
(7)
OE
t
AW
CE
t
AS
(6)
读/写
t
WZ
(7)
数据
OUT
(4)
t
WP
(2)
t
WR
(3)
t
HZ
(7)
t
OW
(4)
t
DW
数据
IN
t
DH
2692 DRW 09
写周期2号的时序波形, ( CE控制时序)
(1,5)
t
WC
地址
t
AW
CE
t
AS
(6)
读/写
t
DW
数据
IN
2692 DRW 10
注意事项:
1. R / W或
CE
必须在所有的地址转换为高。
2.在重叠( T A写操作
EW
或T
WP
)的
CE
= V
IL
和R / W = V
IL
.
3. t
WR
是从较早的测量
CE
或读/写变为高电平的写周期的结束。
4.在此期间,该L / O引脚的输出状态,输入信号不能被应用。
5.如果
CE
同时发生或R / W的低转换后低的跳变时,输出保持在高阻抗状态。
6.定时取决于哪个使能信号( CE或R / W)被断言最后。
7.此参数是设备特性决定的,而不是生产测试。过渡测量0mV从稳态与输出负载测试
(图2) 。
8.如果
OE
是在一个R / W控制的写入周期为低,写脉冲的宽度必须是吨的大
WP
或(T
WZ
+ t
DW
),以允许I / O驱动到关闭数据被放置在
总线用于所需吨
DW
。如果
OE
是在一个R / W控制的写周期高,这一要求并不适用,写脉冲可短至指定的T
WP
.
t
EW
(2)
t
WR
(3)
t
DH
10