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IDT71321SA35J 参数 Datasheet PDF下载

IDT71321SA35J图片预览
型号: IDT71321SA35J
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内容描述: HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态对中断RAM [HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 255 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT7132SA / LA和IDT 7142SA / LA
高速2K ×8双端口静态RAM
军事,工业和商业温度范围
AC电气特性在
工作温度电源电压范围
(5,6)
7132X20
(2)
7142X20
(2)
Com'l只有
符号
写周期
t
WC
t
EW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
HZ
t
DH
t
WZ
t
OW
写周期时间
(3)
芯片使能到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
(4)
写恢复时间
数据有效到结束时的写
输出高阻时间
(1)
数据保持时间
写使能在高阻输出
(1)
输出从主动结束了,写
(1)
20
15
15
0
15
0
10
____
____
____
____
____
____
____
____
7132X25
(2)
7142X25
(2)
Com'l ,工业
&放大器;军事
分钟。
马克斯。
7132X35
7142X35
Com'l &
军事
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
25
20
20
0
15
0
12
____
____
____
____
____
____
____
____
35
30
30
0
25
0
15
____
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2692 TBL 09
10
____
10
____
15
____
0
____
0
____
0
____
10
____
10
____
15
____
0
0
0
7132X55
7142X55
Com'l &
军事
符号
写周期
t
WC
t
EW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
HZ
t
DH
t
WZ
t
OW
写周期时间
(3)
芯片使能到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
(4)
写恢复时间
数据有效到结束时的写
输出高阻时间
(1)
数据保持时间
写使能在高阻输出
(1)
输出从主动结束了,写
(1)
55
40
40
0
30
0
20
____
____
____
____
____
____
____
____
7132X100
7142X100
Com'l &
军事
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
100
90
90
0
55
0
40
____
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2692 TBL 10
25
____
40
____
0
____
0
____
30
____
40
____
0
0
注意事项:
1.转变是从与输出负载测试(图2 )低或高阻抗电压测量0mV 。这个参数是由设备特性保证
但未经生产测试。
2, PLCC封装而已。
3.主/从组合,T
WC
= t
BAA
+ t
WP
中,由于R / W =
V
IL
吨后,一定会出现
BAA
.
4.如果
OE
是在一个R / W控制的写入周期为低,写脉冲的宽度必须是吨的大
WP
或(T
WZ
+ t
DW
),以允许I / O驱动到关闭数据被放置在
总线用于所需吨
DW
。如果
OE
是在一个R / W控制的写周期高,这一要求并不适用,写脉冲可短至指定的T
WP
.
部分5号“X”表示额定功率( SA或LA) 。
6.工业级温度:特定速度,包和权力联系您的销售办事处。
9
6.42