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IDT71321SA35J 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IDT71321SA35J
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内容描述: HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态对中断RAM [HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 255 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT7132SA / LA和IDT 7142SA / LA
高速2K ×8双端口静态RAM
军事,工业和商业温度范围
读周期第1 ,任何一方的时序波形
(1)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
OUT
t
BDDH
(2,3)
2692 DRW 07
t
OH
数据有效
以前的数据有效
读周期2号,一左一右的时序波形
(1)
t
ACE
CE
t
AOE
(3)
OE
t
LZ
(4)
数据
OUT
t
LZ
(4)
I
CC
当前
I
SS
t
PU
50%
有效数据
t
PD
(3)
50%
2692 DRW 08
t
HZ
(5)
t
HZ
(5)
注意事项:
1. R / W = V
IH ,
CE
= V
白细胞介素,
OE
= V
IL 。
地址是有效的前向与巧合
CE
变为低电平。
2. t
BDD
延迟仅需要在相反的端口完成的写操作相同的地址位置的情况。可同时读取操作,
没有关系,有效的输出数据。
3.启动有效数据取决于哪个时间生效上次吨
AOE
, t
ACE
,
t
AA
t
BDD
.
4.时间取决于该信号被断言最后,
OE
or
CE 。
5.时序取决于哪个信号被解除断言第一,
OE
or
CE 。
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