IDT7132SA / LA和IDT 7142SA / LA
高速2K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
描述
该IDT7132 / IDT7142是高速2K ×8双端口静态RAM 。
的IDT7132被设计为用作一个独立的8位双端口RAM的
或作为“主”双口RAM与IDT7142 “ SLAVE ”起来
双端口16位或更多的字宽的系统。采用IDT MASTER /
在16个或更多的位内存体系SLAVE双口RAM的方法
应用结果在全速无错操作，而不需要
额外的分立逻辑。
这两款器件提供单独的控制两个独立的端口，
地址和l / O引脚，允许独立的异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能，通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为325MW运行。低功耗（ LA ）
版本提供电池备份的数据保持能力，每个双核
端口通常由2V电池消耗200μW 。
该IDT7132 / 7142设备均采用48引脚sidebraze或
塑料DIP封装，48引脚的LCC ， 52引脚PLCCs ，以及48引脚扁平封装。
军工级产品的制造符合最新的
修订MIL -PRF- 38535 QML的，因此非常适合于军事
温度要求苛刻的应用程序的性能的最高水平
和可靠性。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
CE
L
读/写
L
忙
L
A
10L
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
1
48
2
47
3
46
4
45
5
44
6
43
IDT7132 / 42
7
8 7142 41
9 P或C 40
10
39
11 P48-1
(4)
38
12
37
＆放大器;
13 C48-2
(4)
36
14
35
15 48 34引脚
16 DIP 33
17前32名
18查看
(5)
31
19
30
20
29
21
28
22
27
23
26
24
25
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
A
10R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
2692 DRW 02
读/写
R
忙
R
A
10R
忙
L
读/写
L
CE
L
A
0L
OE
L
A
10L
指数
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
48 47 46 45 44 43
7
42
8
41
9
40
10
39
IDT7132 / 42L48或F
L48-1
(4)
11
38
＆放大器;
12
37
F48-1
(4)
13
36
48引脚LCC / FLATPACK
14
35
顶视图
(5)
15
34
16
33
17
32
18
31
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
1
6 5 4 3 2
V
CC
CE
R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
,
,
注意事项：
1.所有V
CC
引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. P48-1包体约为0.55英寸x 2.43英寸x 0.18英寸
C48-2包体约为0.62英寸x 2.43英寸x 0.15英寸
L48-1包体约为0.57英寸x 0.57英寸x 0.68英寸
F48-1包体约为0.75英寸x 0.75英寸x 0.11英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
2692 DRW 03
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
马克斯。
11
11
单位
pF
pF
2692 TBL 00
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
切换为3V至0V 。
2
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
