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IDT7132SA25J 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IDT7132SA25J
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内容描述: HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态对中断RAM [HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 255 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT7132SA / LA和IDT 7142SA / LA
高速2K ×8双端口静态RAM
军事,工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7132SA
7142SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
开漏输出
低电压(忙)
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V,
V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
= 5.5V,
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 16毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
7132LA
7142LA
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
0.5
___
马克斯。
5
5
0.4
0.5
___
单位
µA
___
___
µA
V
V
V
2692 TBL 05
___
___
___
___
2.4
2.4
注意:
1.在Vcc
& LT ;
2.0V泄漏是不确定的。
数据保持特性
(仅LA版)
符号
V
DR
I
CCDR
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 2.0V
CE
& GT ; V
CC
-0.2V
V
IN
& GT ; V
CC
-0.2V或
t
CDR
(3)
t
R
(3)
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
IN
& LT ; 0.2V
米尔。 &工业。
Com'l 。
测试条件
分钟。
2.0
___
___
典型值。
(1)
___
马克斯。
___
单位
V
µA
µA
ns
ns
2692 TBL 06
100
100
___
___
4000
1500
___
___
0
t
RC
(2)
注意事项:
1. V
CC
= 2V ,T
A
= + 25°C ,而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间
3.此参数是保证,但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
V
DR
2.0V
V
CC
4.5V
t
CDR
4.5V
t
R
CE
V
IH
V
DR
V
IH
2692 DRW 05
,
5
6.42