IDT7132SA / LA和IDT 7142SA / LA
高速2K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,5,8)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7132X20
(2)
7142X20
(2)
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
L
=
CE
R
= V
IL
,
输出禁用
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(6)
活动端口输出禁用
f=f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
< 0.2V andCE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
-0.2V
(6)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用
f = f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
110
110
____
____
7132X25
(7)
7142X25
(7)
Com'l ，工业
＆放大器;军事
典型值。
110
110
110
110
30
30
30
30
65
65
65
65
1.0
0.2
1.0
0.2
60
60
60
60
马克斯。
220
170
280
220
65
45
80
60
150
115
160
125
15
5
30
10
145
105
155
115
7132X35
7142X35
Com'l &
军事
典型值。
80
80
80
80
25
25
25
25
50
50
50
50
1.0
0.2
1.0
0.2
45
45
45
45
马克斯。
165
120
230
170
65
45
80
60
125
90
150
115
15
4
30
10
110
85
145
105
2692 TBL 04A
马克斯。
250
200
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
,
f = f
最大
(3)
30
30
____
____
65
45
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
65
65
____
____
165
125
____
____
mA
I
SB3
全待机电流（两个
端口 - 所有
CMOS电平输入）
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
60
60
____
____
155
115
____
____
mA
7132X55
7142X55
Com'l &
军事
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
CE
L
=
CE
R
= V
IL
,
输出禁用
f = f
最大
(3)
测试条件
VERSION
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(6)
活动端口输出禁用
f=f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
-0.2V
(6)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用
f = f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
65
65
65
65
20
20
20
20
40
40
40
40
1.0
0.2
1.0
0.2
40
40
40
40
马克斯。
155
110
190
140
65
35
65
45
110
75
125
90
15
4
30
10
100
70
110
85
7132X100
7142X100
Com'l &
军事
典型值。
65
65
65
65
20
20
20
20
40
40
40
40
1.0
0.2
1.0
0.2
40
40
40
40
马克斯。
155
110
190
140
55
35
65
45
110
75
125
90
15
4
30
10
95
70
110
80
2692 TBL 04B
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
,
f = f
最大
(3)
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入）
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
mA
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（ SA或LA） 。
仅2 PLCC封装
3.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用?? AC测试条件？输入电平的
GND到3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
5. VCC = 5V ，T
A
= + 25°C的典型值，而不是生产测试。 VCC
DC
= 100毫安（典型值）
6.港口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
7.不适用于DIP封装。
8.工业级温度：特定速度，包和权力联系您的销售办事处。
4
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
