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IDT71V424S15PH 参数 Datasheet PDF下载

IDT71V424S15PH图片预览
型号: IDT71V424S15PH
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内容描述: 3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 512K ×8位) [3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT)]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 75 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT71V424S , IDT71V424L , 3.3V CMOS静态RAM
4梅格( 512K ×8位)
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
IN
, V
OUT
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
电源电压相对于
V
SS
端电压相对
到V
SS
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
-55到+125
-55到+125
1
50
单位
V
V
o
o
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
0V
0V
V
DD
见下文
见下文
3622 TBL 05
C
C
W
mA
3622 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(2)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
DD
+0.3
(1)
0.8
单位
V
V
V
V
3622 TBL 06
注意:
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
注意事项:
1. V
IH
(最大值) - V
DD
+ 2V的脉宽小于5ns的,每循环一次。
2. V
IL
(分) = -2V为脉冲宽度小于5ns的,每循环一次。
DC电气特性
(V
DD
=最小值。到最大,商用和工业温度范围)
IDT71V424
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
DD
=最大,V
IN
= V
SS
到V
DD
V
DD
=最大,
CS
= V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
DD
I
OL
= 8毫安,V
DD
=最小值。
I
OH
= -4mA ,V
DD
=最小值。
分钟。
___
___
___
MAX 。 UNIT
5
5
0.4
___
µA
µA
V
V
3622 TBL 07
2.4
DC电气特性
(1, 2, 3)
(V
DD
=分钟。至最大,V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
– 0.2V)
71V424S / L 10
符号
I
CC
参数
动态工作电流
CS
& LT ; V
LC
,输出打开,V
DD
=最大值,女= F
最大
(4)
动态待机电源电流
CS
& GT ; V
HC
,输出打开,V
DD
=最大值,女= F
最大
(4)
全部备用电源电流(静态)
CS
& GT ; V
HC
,输出打开,V
DD
=最大值, F = 0
(4)
S
L
S
L
S
L
Com'l 。
180
165
60
55
20
10
IND 。
(5)
180
___
71V424S / L 12
Com'l 。
170
155
55
50
20
10
IND 。
(5)
170
155
55
50
20
10
71V424S / L 15
单位
Com'l 。
160
145
50
45
20
10
IND 。
(5)
160
145
50
45
20
10
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3622 TBL 08
60
___
I
SB
20
___
I
SB1
注意事项:
1.所有值都最大限度地保证值。
2.所有输入0.2V (低)和V之间的切换
DD
- 0.2V (高) 。
3.电源规格是初步。
4. f
最大
= 1/t
RC
(所有的地址输入骑自行车在f
最大
) ; F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
仅5标准功率为10ns ( S10 )的速度等级。
6.42
3