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    IDT71V424S15PH 参数 Datasheet PDF下载

    IDT71V424S15PH图片预览
    型号： IDT71V424S15PH
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.3V CMOS静态RAM 4 MEG （ 512K ×8位） [3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT)]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 75 K
    品牌： IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
     浏览型号IDT71V424S15PH的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IDT71V424S15PH的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT71V424S15PH的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT71V424S15PH的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT71V424S15PH的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT71V424S15PH的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IDT71V424S15PH的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IDT71V424S15PH的Datasheet PDF文件第9页  
    IDT71V424S ， IDT71V424L ， 3.3V CMOS静态RAM
    4梅格（ 512K ×8位）
    商用和工业温度范围
    读循环中没有时序波形。 1
    (1)
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    OE
    t
    OE
    CS
    t
    OLZ
    (5)
    (5)
    (3)
    t
    ACS
    t
    CLZ
    数据
    OUT
    t
    CHZ （ 5 ）
    t
    OHZ （ 5 ）
    高阻抗
    数据
    OUT
    有效
    t
    PD
    V
    CC
    我的供应
    CC
    电流I
    SB
    t
    PU
    3622 DRW 06
    读循环中没有时序波形。 2
    (1, 2, 4)
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OH
    数据
    OUT
    以前的数据
    OUT
    有效
    t
    OH
    数据
    OUT
    有效
    3622 DRW 07
    注意事项：
    1.
    WE
    为高的读周期。
    2.设备被连续地选择
    CS
    是低的。
    3.地址必须是之前或重合有效用的后
    CS
    变为低电平;否则吨
    AA
    是限制参数。
    4.
    OE
    是低的。
    5.转变是从稳态测量± 200mV的。
    6.42
    6

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