IDT71V424S ， IDT71V424L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
商用和工业温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 3.3V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围）
71V424S/L10
(2)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
PU
(1)
t
PD
(1)
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写周期时间
地址有效到写结束
片选写的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
数据保持时间
输出写入结束活动
写使能在高阻输出
10
8
8
0
8
0
6
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
71V424S/L12
分钟。
马克斯。
71V424S/L15
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消到断电时间
10
____
____
____
12
____
____
____
15
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
____
12
12
____
15
15
____
4
____
4
____
4
____
5
5
____
6
6
____
7
7
____
____
____
____
0
____
0
____
0
____
5
____
6
____
7
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
____
____
____
10
12
15
12
8
8
0
8
0
6
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
15
10
10
0
10
0
7
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3622 TBL 10
____
____
____
6
7
7
注意事项：
1.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
2 0 ° C至仅适用于低功耗为10ns （ L10 ）速度等级+ 70 ° C温度范围。
6.42
5
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
