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    BSM75GB120DN2 参数 Datasheet PDF下载

    BSM75GB120DN2图片预览
    型号： BSM75GB120DN2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） [IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)]
    分类和应用： 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 116 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第9页  
    BSM 75 GB 120 DN2
    电气特性，
    在T
    j
    = 25℃，除非另有说明
    参数
    符号
    分钟。
    静态特性
    栅极阈值电压
    值
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    GE （日）
    4.5
    5.5
    2.5
    3.1
    1
    4.5
    -
    6.5
    3
    3.7
    V
    V
    GE
    =
    V
    CE，
    I
    C
    = 3毫安
    集电极 - 发射极饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    -
    -
    V
    GE
    = 15 V,
    I
    C
    = 75 A,
    T
    j
    = 25 °C
    V
    GE
    = 15 V,
    I
    C
    = 75 A,
    T
    j
    = 125 °C
    零栅极电压集电极电流
    I
    CES
    -
    -
    1.5
    -
    mA
    V
    CE
    = 1200 V,
    V
    GE
    = 0 V,
    T
    j
    = 25 °C
    V
    CE
    = 1200 V,
    V
    GE
    = 0 V,
    T
    j
    = 125 °C
    栅极 - 发射极漏电流
    I
    GES
    -
    320
    nA
    V
    GE
    = 20 V,
    V
    CE
    = 0 V
    AC特性
    跨
    g
    fs
    31
    -
    5.5
    0.8
    0.3
    -
    S
    nF
    -
    -
    -
    -
    V
    CE
    = 20 V,
    I
    C
    = 75 A
    输入电容
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    -
    V
    CE
    = 25 V,
    V
    GE
    = 0 V,
    f
    = 1兆赫
    输出电容
    V
    CE
    = 25 V,
    V
    GE
    = 0 V,
    f
    = 1兆赫
    反向传输电容
    C
    RSS
    -
    V
    CE
    = 25 V,
    V
    GE
    = 0 V,
    f
    = 1兆赫
    半导体集团
    2
    Mar-29-1996

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