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    BSM75GB120DN2 参数 Datasheet PDF下载

    BSM75GB120DN2图片预览
    型号： BSM75GB120DN2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） [IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)]
    分类和应用： 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 116 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第9页  
    BSM 75 GB 120 DN2
    功耗
    P
    合计
    =
    ƒ
    (T
    C
    )
    参数：
    T
    j
    ≤
    150 °C
    650
    W
    550
    安全工作区
    I
    C
    =
    ƒ
    (V
    CE
    )
    参数：
    D
    = 0,
    T
    C
    = 25°C ,
    T
    j
    ≤
    150 °C
    10
    3
    A
    tp
    = 19.0µs
    P
    合计
    500
    450
    400
    350
    300
    250
    I
    C
    10
    2
    100 µs
    10
    1
    1毫秒
    10毫秒
    200
    10
    0
    150
    100
    50
    0
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    120
    °C
    160
    10
    -1
    0
    10
    10
    1
    DC
    10
    2
    10
    3
    V
    T
    C
    V
    CE
    集电极电流
    I
    C
    =
    ƒ
    (T
    C
    )
    参数：
    V
    GE
    ≥
    15 V ,
    T
    j
    ≤
    150 °C
    120
    A
    100
    瞬态热阻抗
    Z
    日JC
    =
    ƒ
    (t
    p
    )
    参数：
    D =吨
    p
    /
    T
    10
    0
    IGBT
    K / W
    I
    C
    90
    80
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    120
    °C
    160
    Z
    thJC
    10
    -1
    10
    -2
    D = 0.50
    0.20
    0.10
    10
    -3
    单脉冲
    0.05
    0.02
    0.01
    10
    -4
    -5
    10
    10
    -4
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    s 10
    0
    T
    C
    t
    p
    半导体集团
    4
    Mar-29-1996

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