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    BSM75GB120DN2 参数 Datasheet PDF下载

    BSM75GB120DN2图片预览
    型号： BSM75GB120DN2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） [IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)]
    分类和应用： 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 116 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSM75GB120DN2的Datasheet PDF文件第9页  
    BSM 75 GB 120 DN2
    典型值。栅极电荷
    V
    GE
    =
    ƒ
    (Q
    门
    )
    参数：
    I
    ç PULS
    = 75 A
    20
    V
    典型值。电容
    C
    =
    f
    (V
    CE
    )
    参数：
    V
    GE
    = 0中，f = 1 MHz的
    10
    2
    nF
    V
    GE
    16
    14
    12
    C
    600 V
    800 V
    10
    1
    西塞
    10
    8
    10
    0
    6
    4
    2
    0
    0
    10
    -1
    0
    科斯
    CRSS
    100
    200
    300
    400
    nC
    550
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    Q
    门
    V
    40
    V
    CE
    反向偏置安全工作区
    短路安全工作区
    I
    Cpuls
    = F（V
    CE
    )
    ,
    T
    j
    = 150°C
    参数：
    V
    GE
    = 15 V
    2.5
    I
    中信建投
    = F（V
    CE
    ) ,
    T
    j
    = 150°C
    参数：
    V
    GE
    = ± 15 V,
    t
    SC
    ≤
    10微秒，L < 50 nH的
    12
    I
    Cpuls
    /I
    C
    I
    中信建投
    /I
    C
    8
    1.5
    6
    1.0
    4
    0.5
    2
    0.0
    0
    200
    400
    600
    800
    1000 1200
    V
    1600
    V
    CE
    0
    0
    200
    400
    600
    800
    1000 1200
    V
    1600
    V
    CE
    半导体集团
    6
    Mar-29-1996

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