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GE28F320C3TC90 参数 Datasheet PDF下载

GE28F320C3TC90图片预览
型号: GE28F320C3TC90
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内容描述: 高级+引导块闪存( C3 ) [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 68 页 / 1132 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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英特尔
£
高级+引导块闪存( C3 )
6.0
耗电量
英特尔闪存设备有一个分层的方法来节省功耗可显著降低整体
系统的功耗。自动省电( APS )功能可降低功耗
被选取的消费时,该设备却空闲。如果CE #为无效,闪光进入待机
模式,其中电流消耗更低。如果RP #为无效,闪进深加电
关断模式的超低电流消耗。这些特征的组合,可以最小化
存储器的功耗,并且因此,整个系统的功耗。
6.1
有功功率(编程/擦除/读)
随着CE#为逻辑
-
低级别和逻辑RP #
-
高电平时,设备处于活动模式。参考
为我的DC特性表
CC
的电流值。有功功率是最大的贡献者
整个系统的功耗。最大限度地降低工作电流可能产生深远的影响
系统的功率消耗,尤其是对于电池
-
供电设备。
6.2
自动省电( APS )
自动节能提供了低
-
在读模式下功耗运行。后的数据从读
存储器阵列和地址线处于闲置状态, APS电路将器件置于一种模式:
典型电流比得上我
CCS
。闪光灯停留在这个静止的状态与输出有效,直到
新的位置被读出。
6.3
待机功耗
当CE#为逻辑
-
高电平(V
IH
) ,闪速存储器处于待机模式,禁用
多器件的电路,并且基本上减少了功耗。输出被放置在
-
阻抗状态独立的OE#信号的状态。如果CE#转换为逻辑
-
在擦除或编程操作的高级别时,设备将继续执行该操作
和消耗相应的有功功率,直到操作完成。
系统工程师应该分析的待机时间与活动时间破裂,而量化
各自的耗电量在每个模式中为他们的特定应用程序。这种方法将
提供应用程序的一个更准确的测量
-
比功率和能量的要求。
6.4
深度掉电模式
深度掉电模式被激活时, RP # = V
IL
。在读模式, RP #变低DE-
选择的存储器,并把输出端处于高阻抗状态。恢复从深加电
下,需要吨的最小时间
PHQV
对于读操作,而t
PHWL
/t
PHEL
对于写
操作。
32
数据表