英特尔
£
高级+引导块闪存（ C3 ）
在编程或擦除模式， RP ＃低过渡将中止正在进行的操作。该
该地址的内存内容被编程或擦除被该块不再有效，
数据的完整性受到损害的中止。在深度掉电，所有内部
电路切换到低功率节省模式（RP ＃过渡到V
IL
或关闭电源
该设备会清除状态寄存器） 。
6.5
6.5.1
电源和复位注意事项
上电/下特性
为了防止可能导致误写或擦除操作的任何条件，这是
以电VCC和VCCQ推荐在一起。相反， VCC和VCCQ必须上电
倒在一起。
此外，还建议以电VPP或之后VCC达到VCC
民
。相反， VPP
必须断电或稍前， VCC 。
如果VCCQ和/或VPP没有连接到VCC电源，然后VCC应达到VCC
民
前
应用VCCQ和VPP 。设备投入应不前，电源电压达到驱动
VCC
民
.
电源转换应在RP ＃为低才会发生。
6.5.2
RP ＃连接到系统复位
的RP ＃在系统复位的使用是自动化程序很重要/擦除，因为设备
系统预计从闪存读取出来时复位。如果发生CPU复位
没有闪存复位，适当的CPU初始化将不会发生，因为闪存
可以提供状态信息，而不是阵列中的数据。英特尔建议连接RP ＃到
系统CPU RESET ＃信号，允许适当的CPU /闪存初始化以下系统复位。
系统设计人员必须警惕误写操作时， V
CC
电压高于V
LKO
。因为
无论WE＃和CE ＃必须是低的命令写，要么开车信号， V
IH
会抑制
写入设备。崔架构提供自变更额外的保护
存储器中的内容只能成功地完成了两个步骤的指令序列后发生。
该设备也将被禁用，直到RP ＃被带到V
IH
，不管其控制输入的状态。
通过在上电期间保持器件在复位期间电/下的，无效的公交车能条件
被掩蔽，提供存储器保护的另一个水平。
6.5.3
V
CC
, V
PP
和RP ＃跃迁
在CUI锁存器，通过系统软件发出的，并且不被V改变命令
PP
或CE ＃
转换或WSM行动。上电时默认状态，在复位模式或退出后后
V
CC
过渡高于V
LKO
（锁定电压）时，读出阵列模式。
经过任何程序或块擦除操作完成（即使V
PP
过渡下来
V
PPLK
） ，崔必须复位通过读阵列命令来读取阵列模式下，如果访问
闪存阵列是理想的。
数据表
33
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