欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

RD38F1010C0ZTL0 参数 Datasheet PDF下载

RD38F1010C0ZTL0图片预览
型号: RD38F1010C0ZTL0
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 3 VOLT英特尔?高级+引导?座闪存?记忆? ( C3) ?堆叠芯片? ScalPackage ? Familye [3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 70 页 / 1167 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
 浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第37页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第38页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第39页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第40页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第42页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第43页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第44页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第45页  
3伏特英特尔
®
高级+引导块闪存堆叠- CSP系列
7.0
系统设计考虑
本节包含将被包含在产品设计指南中的信息
先前的世代。在努力简化文档的量,相关的系统设计
考虑已合并到本文件。
7.1
背景
英特尔高级+引导块堆叠芯片级封装相结合的特点
具有低功耗SRAM高级+引导块闪存架构,从而实现整体
减少系统电路板空间。这使得应用程序能够通过简单的集成安全性
软件和硬件配置的同时,还结合系统SRAM和闪存成一体
常见的足迹。本节讨论如何采取3伏高级+引导的充分利用
块堆叠芯片级封装。
7.1.1
闪存+ SRAM足迹整合
该堆叠芯片尺寸封装的存储器解决方案,可以用来取代存储器的一个子集
设计中的子系统。凡以前的设计可能使用两个单独的脚印
SRAM和Flash ,您现在可以使用行业标准的I- ballout堆叠-CSP的替换
装置。这使得整体减少电路板空间,这允许设计集成
无论是闪存和SRAM中为一个部件。
7.1.2
高级+引导块闪存产品特点
高级+引导块增加了以下新的功能,英特尔高级引导块
架构:
转眼之间,个别块锁定提供的软件/硬件控制的,独立的锁定/
解锁任何块的零延迟保护代码和数据。
128位保护寄存器使系统的安全实现。
改进的12伏生产编程简化了所需的系统配置
实现12 V的快速编程。
通用闪存接口( CFI )提供了在芯片上的组件信息,让软件 -
独立的设备升级。
有关高级+引导块闪存的特定优势的更多信息,请
SEE
AP- 658设计与高级+引导块闪存架构。
7.2
闪光控制注意事项
闪存设备进行保护,防止电源意外中块擦除或编程
转场。电源排序不是必需的,因为该设备是无所谓哪个
电源, F- VPP或F - VCC ,当权者第一。例如闪光灯的电源配置
所示
数据表
41