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RD38F1010C0ZTL0图片预览
型号: RD38F1010C0ZTL0
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内容描述: 3 VOLT英特尔?高级+引导?座闪存?记忆? ( C3) ?堆叠芯片? ScalPackage ? Familye [3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 70 页 / 1167 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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3伏特英特尔
®
高级+引导块闪存堆叠- CSP系列
7.4.1
闪存在SRAM操作“忙”
这种功能提供了“在同一时间”同时使用闪光灯和SRAM中的能力
内的系统中,类似的两个设备具有独立的脚印的操作。该操作可以
可以通过以下的系统内的适当的时序约束来实现。
7.4.2
同时公交车运营
同时需要的SRAM和闪存是在主动模式下的操作是不允许的。一个例子
这些情况包括同时读两个闪存和SRAM上,这将导致
在争夺数据总线。最后,读取一个设备的同时,试图写入到另一
(类似的直接存储器访问(DMA)操作条件)都还没有内
推荐工作条件。基本上,只有一个存储器可以驱动输出出
装置在一个时间点给予。
7.5
印刷电路板的注意事项
英特尔堆叠CSP将节省您的PCB上显著的空间由两个芯片组合成一个
BGA型封装。英特尔堆叠CSP具有可被路由上打印的0.8毫米间距
电路板与传统的设计规则。 0.127毫米( 0.005英寸)走线宽度为典型。
不填充在封装的中心未使用的球,以进一步增加路由选择。
标准表面安装工艺和设备可用于英特尔堆积-CSP 。
图14.标准的PCB设计规则可用于堆叠- CSP器件
焊盘直径0.35毫米( 0.0138英寸)
阻焊层开口:0.81毫米( 0.0198英寸)
走线宽度: 0.127毫米( 0.005 )
跟踪空间: 0.160毫米(以0.00625 )
通过捕捉垫:0.82毫米( 0.020英寸)
通过钻头尺寸0.25毫米( 0.010 )
注意:
顶视图
7.6
系统设计说明概要
高级+引导块堆叠CSP允许更高级别的内存组件的集成。
不同的电源配置,可在系统内使用,以实现不同的
的目标。至少三个不同的0.1μF的电容器应该用于解耦内的设备
系统。 SRAM读取或过程中所支持的操作闪存编程或擦除写入。标准
印刷电路板技术可以被使用。
数据表
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