欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

RD38F1010C0ZTL0 参数 Datasheet PDF下载

RD38F1010C0ZTL0图片预览
型号: RD38F1010C0ZTL0
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 3 VOLT英特尔?高级+引导?座闪存?记忆? ( C3) ?堆叠芯片? ScalPackage ? Familye [3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 70 页 / 1167 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
 浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第40页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第41页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第42页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第43页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第45页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第46页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第47页浏览型号RD38F1010C0ZTL0的Datasheet PDF文件第48页  
3伏特英特尔
®
高级+引导块闪存堆叠- CSP系列
图13.典型的闪存+ SRAM基板连接电源和地
基板
闪存裸片
SRAM DIE
S-V
SSQ
F- V
SSQ
D3
S-V
SS
S-V
CC
D9
S-V
CCQ
F- V
CC
F- V
CCQ
E4
F- V
PP
F- V
SS
D10
A10
A9
H8
XX
S- X
F- X
衬底连接到球包
SRAM芯片焊盘连接
闪存裸片焊盘连接
注意事项:
1.基板的连接是指ballout所示的位置
2. 0.1μF电容应采用D9 , D10 , A10and E4 。
3.某些SRAM器件不具有S- VSSQ ;在这种情况下,该端口是一个S- VSS。
4.某些SRAM器件不具有S- VSSQ ;在这种情况下,该端口是VCC 。
7.4
同时操作
中所用的术语同时操作来描述,以读取或写入到SRAM时的能力
同时,编程或擦除闪存。此外,F- CE# ,S -CS1 #和S- CS2不应该在启用
在同一时间。 (见
对于推荐的操作模式的概要。 )同时
的操作可以概括为以下内容:
SRAM读/写是闪存程序期间或擦除操作是允许的。
闪存和SRAM之间是同步总线操作
允许(公交车,因为
争) 。
44
数据表