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TE28F128J3A-150 参数 Datasheet PDF下载

TE28F128J3A-150图片预览
型号: TE28F128J3A-150
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内容描述: 英特尔StrataFlash闪存( J3 ) [Intel StrataFlash Memory (J3)]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 72 页 / 909 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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256 - Mbit的J3 ( X8 / X16 )
7.3
块擦除,编程和锁定位配置
性能
表10.配置性能
#
W16
W16
t
WHQV3
t
EHQV3
符号
参数
写缓冲器字节编程时间
(时间计划32字节/ 16个字)
字节编程时间(使用字/字节编程命令)
块编程时间(使用写入缓冲区命令)
W16
W16
W16
W16
W16
t
WHQV4
t
EHQV4
t
WHQV5
t
EHQV5
t
WHQV6
t
EHQV6
t
WHRH1
t
EHRH1
t
WHRH
t
EHRH
块擦除时间
设置锁定位时
清除块锁定位时间
计划暂停等待时间阅读
擦除挂起延时时间阅读
典型值
218
210
0.8
1.0
64
0.5
25
26
最大
(8)
654
630
2.4
5.0
75/85
0.70/1.4
75/90
35/40
单位
µs
µs
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
µs
美国证券交易委员会
µs
µs
笔记
1,2,3,4,5,6,7
1,2,3,4
1,2,3,4
1,2,3,4
1,2,3,4,9
1,2,3,4,10
1,2,3,9
1,2,3,9
注意事项:
1.典型的测量值在T
A
= +25 ° C和额定电压。假定相应的锁定位
未设置。如有变更,根据设备特性。
2.这些性能数字适用于所有版本的速度。
3.取样,但不是100 %测试。
4.不包括系统级开销。
5.这些值是有效的,当缓冲器满时,和起始地址的是, 32个字节的边界上对齐。
6.有效每字节编程时间(T
WHQV1
, t
EHQV1
)为6.8微秒/字节(典型值) 。
7.有效的每个字编程时间(T
WHQV2
, t
EHQV2
)为13.6微秒/字(典型值) 。
8.最大值是在最坏情况下的温度和V测
CC
经过10万次角球(除
说明) 。
9.最大值表示在-25℃ / -40 ℃。
10.Max值表示在25℃ / -40 ℃。
数据表
27