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TE28F128J3A-150 参数 Datasheet PDF下载

TE28F128J3A-150图片预览
型号: TE28F128J3A-150
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内容描述: 英特尔StrataFlash闪存( J3 ) [Intel StrataFlash Memory (J3)]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 72 页 / 909 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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256 - Mbit的J3 ( X8 / X16 )
7.4
复位操作
图14. AC波形的复位操作
V
IH
V
IL
P2
STS (注册商标)
RP # ( P)
V
IH
V
IL
P1
注意:
STS显示在默认模式( RY / BY # ) 。
表11.复位规格
#
P1
符号
t
PLPH
t
PHRH
参数
RP #脉冲低电平时间
(如果RP #被连接到V
CC
,这个规范是不是
适用)
RP #高复位过程中块擦除,编程,或
锁定位配置
35
最大
单位
µs
笔记
1,2
P2
100
ns
1,3
注意事项:
1.这些规范适用于所有版本的产品(包装和速度) 。
2.如果RP #是断言而块擦除,编程或锁定位配置操作不
然后执行所需的最低RP #脉冲低电平时间为100ns 。
3.复位时间t
PHQV
,从STS后者要求(在RY / BY #模式)或RP #变为高电平,直到
输出是有效的。
7.5
AC测试条件
图15.瞬态输入/输出参考波形的V
CCQ
= 2.7 V–3.6 V
V
CCQ
输入V
CCQ
/2
0.0
注意:
AC测试输入在V驱动
CCQ
一个逻辑"1"和0.0 V的逻辑"0."输入计时开始,
输出定时结束,在V
CCQ
V / 2 V( 50 %
CCQ
) 。输入上升和下降时间( 10 %至90 % ) < 5纳秒。
测试点
V
CCQ
/2
产量
数据表
29