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TE28F320C3BC70 参数 Datasheet PDF下载

TE28F320C3BC70图片预览
型号: TE28F320C3BC70
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内容描述: 高级+引导块闪存( C3 ) [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 68 页 / 1132 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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英特尔
£
高级+引导块闪存( C3 )
图9.写操作波形
W5
地址[ A]
W8
W6
CE# [E]
W3
W2
WE# [W]
OE # [G]
W4
DATA [ D / Q]
W1
RP # [P]
W10
VPP [V]的
W7
W9
8.3
擦除和编程时序
表21.擦除和编程时序
V
PP
符号
参数
典型值
最大
典型值
最大
1.65 V–3.6 V
11.4 V–12.6 V
单位
t
BWPB
t
BWMB
4 KW参数块
Word程序时
32 KW主座
Word程序时
字编程时间为0.13
与0.18微米产品
字编程时间为0.25
美光产品
4 KW参数块
擦除时间
32 KW主座
擦除时间
程序挂起延迟
擦除挂起延时
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1,3
1,3
0.10
0.8
12
22
0.5
1
5
5
0.30
2.4
200
200
4
5
10
20
0.03
0.24
8
8
0.4
0.6
5
5
0.12
1
185
185
4
5
10
20
s
s
µs
µs
s
s
µs
µs
t
WHQV1
/ t
EHQV1
t
WHQV2
/ t
EHQV2
t
WHQV3
/ t
EHQV3
t
WHRH1
/ t
EHRH1
t
WHRH2
/ t
EHRH2
注意事项:
1.典型的测量值在T
A
= +25 ° C和额定电压。
2.不包括外部系统级的开销。
3.取样,但不是100 %测试。
数据表
47