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TE28F800B3BA110 参数 Datasheet PDF下载

TE28F800B3BA110图片预览
型号: TE28F800B3BA110
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内容描述: 3伏高级启动区块快闪记忆体 [3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 58 页 / 844 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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28F004 / 400B3 , 28F008 / 800B3 , 28F016 / 160B3 , 28F320B3 , 28F640B3
图4. x16的48球极薄型间距的BGA和μBGA *芯片尺寸封装(顶视图,
球下来)
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2
3
4
5
16M
A
A
13
A
11
A
8
V
PP
WP #
A
19
A
7
A
4
6
7
8
B
A
14
A
10
WE#
64M
RP #
32M
A
21
A
18
A
17
A
5
A
2
C
A
15
A
12
A
9
A
20
A
6
A
3
A
1
D
A
16
D
14
D
5
D
11
D
2
D
8
CE#
A
0
E
V
CCQ
D
15
D
6
D
12
D
3
D
9
D
0
GND
F
GND
D
7
D
13
D
4
V
CC
D
10
D
1
OE #
0580_03
注意事项:
1.阴影部分表示连接升级地址的连接。密度较低的设备不会有
上地址焊球。路由不建议在此区域。一
19
对于升级地址
16兆位器件。一
20
为32兆位器件升级地址。一
21
对于64 Mbit的升级地址
装置。
2.不可用4兆位密度
μBGA
CSP 。
详细说明各装置的使用
引脚。
3UHOLPLQDU\
5