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TE28F800B3BA110 参数 Datasheet PDF下载

TE28F800B3BA110图片预览
型号: TE28F800B3BA110
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内容描述: 3伏高级启动区块快闪记忆体 [3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 58 页 / 844 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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28F004 / 400B3 , 28F008 / 800B3 , 28F016 / 160B3 , 28F320B3 , 28F640B3
图2. 48引脚TSOP封装的X16配置
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
21
A
20
WE#
RP #
V
PP
WP #
A
19
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A
16
V
CCQ
GND
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE #
GND
CE#
A
0
64 M
32 M
高级启动区块
48引脚TSOP
12毫米×20mm的
顶视图
16 M
0580_02
注意:
更低的密度将有数控在上地址引脚。例如,一个16兆位器件将具有数控
在销9和10 。
图3. X8 48球μBGA *芯片尺寸封装(顶视图,球下来)
1
2
3
4
5
16M
A
A
14
A
12
A
8
V
PP
WP #
8M
B
A
15
A
10
WE#
RP #
A
19
A
18
A
5
A
2
A
20
A
7
A
4
6
7
8
C
A
16
A
13
A
9
A
6
A
3
A
1
D
A
17
NC
D
5
NC
D
2
NC
CE#
A
0
E
V
CCQ
A
11
D
6
NC
D
3
NC
D
0
GND
F
GND
D
7
NC
D
4
V
CC
NC
D
1
OE #
0580_04
注意事项:
1.阴影部分表示连接升级地址的连接。密度较低的设备不会有
上地址焊球。路由不建议在此区域。一
20
对于升级地址
16兆位器件。
2.不可用4兆位密度
μBGA *
CSP 。
4
3UHOLPLQDU\