28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3
1.1
产品概述
英特尔提供了在闪存业界最灵活的电压的解决方案，提供了三个离散
电源引脚： V
CC
对于读操作，V
CCQ
输出摆幅，和V
PP
程序和
擦除操作。所有的3伏高级启动区块快闪记忆体产品提供编程/擦除
在2.7 V或12 V功能（用于快速生产编程）和阅读与V
CC
在2.7 V.由于
许多设计从闪速存储器读出的大百分比的时间，2.7 VV
CC
操作
提供大量的功耗。
在3伏高级启动区块快闪记忆体产品是在任何x8或x16封装
在以下密度： （见
可用性）。
•
4兆位（ 4,194,304位）闪存存储器， 256 K字的16位或每512千字节
8位每
•
8兆位（ 8,388,608位）闪存存储器， 512 K字的16位或每1024字节
8位每
•
16兆位（ 16777216位）快闪记忆体组织为1024 K字的16位或每
2048字节的每8位
•
32兆位（ 33554432位）快闪记忆体组织为2048 K字，每行16位
•
64兆位（ 67108864位）快闪记忆体组织为每个16位4096 K字
该参数块位于任一顶端（用-T后缀）或底部（-B后缀）
地址映射的顺序，以适应不同的微处理器协议内核代码
位置。上面的两个（或两个低）的参数的块可以被锁定，以提供完整的代码
安全系统初始化代码。锁定和解锁使用WP ＃控制（见
有关详细信息） 。
命令用户界面（CUI ）用作微处理器或之间的界面
微控制器和快闪存储器的内部操作。内部写状态机
（ WSM ）自动执行必要的编程和擦除算法和时间安排
操作，包括验证，从而取消负担的微处理器或微控制器。
状态寄存器显示足见块擦除或Word程序的WSM的状态
完成和状态。
在3伏高级启动区块快闪记忆体还设计有一个自动节能
（ APS ）功能，可最大程度地减少系统的漏电流，允许非常低的功耗设计。这
模式进入了完成一个读周期（大约300纳秒更高版本）下。
在RP ＃引脚提供了针对可能发生的不必要的命令写入额外的保护
在系统复位和上电由于无效的系统总线条件/下序列（见
给出了不同模式的详细解释
的操作。完整的电流和电压的规格中可以找到
请参阅
读取，编程和擦除性能规格。
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INTEL [ INTEL CORPORATION ]
