28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3
3.3.2
WP ＃ = V
IH
座解锁
WP ＃ = V
IH
所有解锁上锁块。
这些模块现在可以进行编程或擦除。
请注意， RP ＃不覆盖WP ＃锁定在以前的引导块设备。 WP ＃控制所有
块锁定和V
PP
提供保护，防止误写。
定义了写
保护方法。
表8 。
写保护真值表的高级启动块闪存系列
V
PP
X
V
IL
≥
V
PPLK
≥
V
PPLK
WP ＃
X
X
V
IL
V
IH
RP ＃
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
写保护提供
所有的块锁定
所有的块锁定
可锁定块锁定
所有块解锁
3.4
V
PP
编程和擦除电压
英特尔
®
3伏高级启动区块产品提供在系统编程和擦除为2.7 V.
对于客户要求的快速编程在他们的生产环境， 3伏高级
引导块包括一个额外的成本低12 V的编程功能。
12 V V
PP
模式增强了在较短的时间周期一般编程性能
在制造过程中发现的;然而，它不适合长期使用。 12 V可能
适用于V
PP
在编程和擦除操作，最多1000个循环上的主
块和2500个循环的参数块。 V
PP
可被连接到12伏，共80
最大小时。
警告：
强调设备超出这些限制可能会造成永久性的损害。
在读操作或空闲时间，V
PP
可以连接到一个5 V电源。编程和擦除
操作中， 5 V电源是不允许的。在V
PP
必须与任何2.7 V ， 3.6 V或提供
11.4 V- 12.6 V在编程和擦除操作。
3.4.1
V
PP
= V
IL
为完整的保护
在V
PP
编程电压可以保持低的所有块的完整的写保护
闪光装置。当V
PP
低于V
PPLK
任何编程或擦除操作将导致错误，
提示相应的状态寄存器位（ SR.3）进行设置。
3.5
耗电量
英特尔闪存设备有一个分层的方法来节省功耗可显著降低整体
系统的功耗。自动省电（ APS ）功能可降低功耗
被选取的消费时，该设备却空闲。如果CE ＃置为无效，闪进了
待机模式，此时的电流消耗更低。这些功能的组合，可以
最小化内存的功耗，因此，整个系统的功耗。
3UHOLPLQDU\
15
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