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TE28F800B3BA110 参数 Datasheet PDF下载

TE28F800B3BA110图片预览

型号：	TE28F800B3BA110
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	3伏高级启动区块快闪记忆体 [3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	58 页 / 844 K
品牌：	INTEL [ INTEL CORPORATION ]

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28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3

数

-008

-009

-010

-011

描述

4 - Mbit的包装和地址信息在整个文档中更正

纠正4兆位存储器寻址附录D和E表

我最大

CCD

变更为25 μA

V

CC

最大32 M（ 28F320B3 ）变更为3.3 V

增加了64兆位密度和更快的速度发行

除去存取时间与电容负载曲线

的32兆80ns的设备，以70ns的设备更改的引用，以反映更快的产品

招股。

改变VccMax = 3.3V基准，以指示受影响的产品是0.25微米32兆

装置。

在整个文档中次要的文本编辑。

-012

vi

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