HIP6602B
功能引脚说明
PWM1 （引脚1 ）和PWM2 （引脚2 ） ， （引脚15和16
QFN ）
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看到了
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细信息。该引脚连接到控制器的PWM输出。
BOOT 2 （引脚10）和BOOT 1 （引脚11 ） ， （引脚10和
11 QFN ）
浮动自举电源引脚上栅极驱动器。
连接这些引脚之间的自举电容
相应的相位引脚。自举电容提供
充电，以打开上部的MOSFET。在电阻
串联启动电容器需要在某些应用中
减少振铃的BOOT引脚。看到内部
在说明的指导引导设备部分
在选择合适的电阻和电容值。
GND （引脚3 ） ， （引脚1 QFN ）
偏置和参考地。所有信号都参考
这一节点。
VCC （引脚14 ） ， （ 14引脚QFN ）
该引脚连接到+ 12V的偏置电源。将高品质
旁路电容此引脚与GND 。为防止远期
偏置内部二极管，该引脚应更积极
然后在转换器的启动PVCC
LGATE1 （引脚4 ）和LGATE2 （引脚7 ） ， （引脚2和
6 QFN ）
更低的栅极驱动器输出。连接到低侧的门
功率N沟道MOSFET 。
PVCC （引脚5 ） ， （引脚QFN 3 ）
该引脚提供上部和下部栅极驱动器偏压。
连接该引脚为+ 12V下降到+ 5V 。
描述
手术
专为通用性和速度， HIP6602B双通道，
双MOSFET驱动器同时控制高侧和低侧
N沟道场效应晶体管由两个外部提供的PWM信号。
上部和下部栅极被保持为低，直到驱动程序是
初始化。一旦VCC电压超过了VCC上升
阈值（见
电气规格） ，
PWM信号
采用栅过渡控制。在PWM上升沿
启动关断下部MOSFET的（见
定时
图）。
经过短暂的传播延迟[保持tPDL
LGATE
]，则
更低的栅极开始下降。典型下降时间[ TF
LGATE
]是
在所提供的
电气规格
部分。自适应
直通电路监测LGATE电压和
确定上部栅极延迟时间[ TPDH
UGATE
]根据
如何快速的LGATE电压低于2.2V 。这
防止两者的下部和上部从MOSFET的
进行同时或穿通。一旦这种延迟
周期完成上栅极驱动开始上升
[ TR
UGATE
]和上MOSFET导通。
PGND （引脚6 ） ， （ 4针QFN ）
此引脚为电源地回报较低的门
驱动程序。
PHASE2 （引脚8 ）和PHASE1 （引脚13 ） ， （引脚7和
13 QFN ）
这些引脚连接到上层MOSFET的源
和下侧的MOSFET的漏极。相电压为
自适应贯通保护监控。这些引脚
还提供了用于上部栅极驱动器的返回路径。
UGATE2 （引脚9 ）和UGATE1 （引脚12 ） ， （引脚9和
12 QFN ）
上栅极驱动输出。连接到高侧的门
功率N沟道MOSFET 。
时序图
.
PWM
tPDH时间
UGATE
保持tPDL
UGATE
TR
UGATE
TF
UGATE
UGATE
LGATE
TF
LGATE
保持tPDL
LGATE
tPDH时间
LGATE
TR
LGATE
6
FN9076.5
2005年7月22日
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
