HIP6602B
PWM的一个下降沿表示关断的
上MOSFET和下MOSFET的导通。一
短传播延迟[保持tPDL
UGATE
]遇到
上闸门开始下降[ TF前
UGATE
] 。再次，该
自适应直通电路决定下门
延迟时间， TPDH
LGATE
。相电压进行监控
和更低的栅极允许相位下降后上升
低于0.5V 。下门，然后上升[ TR
LGATE
] ，转
在下部的MOSFET 。
自举电容必须有一个最大的电压
等级以上PVCC + 5V 。自举电容可
从下面的方程中选择：
Q
门
-
C
BOOT
≥
-----------------------
∆V
BOOT
其中Q
门
是必需的栅极电荷量，以充分
充上MOSFET的栅极。该
∆V
BOOT
期限
德网络定义为在上部驱动的轨道允许的下垂。
作为一个例子，假设一个HUF76139被选择作为
上MOSFET 。栅极电荷，Q
门
从数据
板材是65nC的10V上的栅极驱动。我们假设一个
200mV的压降超过PWM周期的驱动电压。我们第二科幻
至少0.325μF的自举电容是必需的。
下一个较大的标准值电容0.33μF 。
在应用程序需要下变换为+ 12V或
更高和PVCC连接到+ 12V电源，一个引导
电阻串联在启动电容器是必需的。该
这些设计提高功率密度往往导致
增加振铃的BOOT和PHASE节点，因
在整个给定电路大电流的开关速度更快
寄生元件。加引导电阻的允许
对于电路的调整，直到峰值振铃开机
低于29V从开机到GND和17V从开机到VCC 。
5Ω的启动电阻值通常满足此条件。
在一些应用中，一个良好调节引导电阻降低
响在BOOT引脚，但相对于GND峰值
振铃超过17V 。栅极电阻放在UGATE
控制器和上部MOSFET的栅极之间的轨迹是
建议通过减少相位节点上的振铃
放慢上MOSFET导通。栅极电阻
2Ω之间的值10Ω通常会降低的阶段
GND峰值振铃低于17V 。
三态PWM输入
在HIP6602B司机的一大特色是增加了一个
关闭窗口的PWM输入。如果PWM信号
进入并保持在关闭窗口内的一组
释抑时间，输出驱动器被禁用，并且这两个
MOSFET栅极被拉低并保持低电平。在关机状态下
当PWM信号以外的移动被去除
关闭窗口。否则，将PWM的上升沿和下降沿
在电气规格概述阈值确定
当上，下门被使能。
自适应贯通保护
该驱动程序包含自适应贯通保护，以
防止进行高端和低端MOSFET
同时，缩短了输入电源。这是
确保落闸已完成关闭1
之前的另一个MOSFET可以升高。
关断过程中的下MOSFET的，所述LGATE电压是
监视，直到它到达一个2.2V的阈值，在该时间的
UGATE释放上升。自适应贯通线路
监测期间UGATE关断相电压。一旦
相位已经下降到低于0.5V的阈值，则LGATE
可以升高。如果相不低于0.5V
为250ns内， LGATE被允许上升。这样做是为了
产生自举刷新信号。相继续
在下部栅极上升时间进行监测。如果相
电压超过这一时期的0.5V的阈值，并
保持高电平超过2μs的时间越长， LGATE变为低电平。
这样做是为了使下部的MOSFET仿真的二极管。
上部和下部栅极然后保持低直到下一个
的PWM信号的上升沿。
栅极驱动电压多功能性
该HIP6602B提供了选择的灵活性，用户
栅极驱动电压。简单地施加一电压从5V到
12V上PVCC同时设置驱动轨电压。
功耗
包装功耗主要是开关的功能
频率和所选择的MOSFET的栅极总电荷。
计算驱动程序中的功率耗散为所期望的
应用程序是为了确保安全运行的关键。超过
最大允许功耗水平将推动IC
超过最大推荐工作结
温度为125°C 。允许的最大功率IC
功耗为14引脚SOIC封装约
1000MW 。在热传递的改进可通过获得
增加周围HIP6602B PC板铜面积。
在集成电路中添加一个接地垫，以帮助将热量传递到
电路板的外周会有所帮助。也保持导到
该IC尽可能的宽和扩大这一点，这些线索为
尽快进一步增强传热也将有所帮助。
在设计驱动到一个应用程序，它是
建议下面的计算被执行以
上电复位（ POR）功能
在初始启动时， VCC电压上升的监测和
门驱动器保持低电平，直到一个典型的VCC上升阈值
9.95V的到达。一旦VCC上升门槛
超过， PWM输入信号取的栅极的控制
驱动器。如果VCC低于典型的VCC下降阈值
操作期间7.6V ，那么这两个栅极驱动器再次保持
低。这种情况一直存在，直到VCC电压超过
在VCC上升阈值。
内部自举设备
该HIP6602B具有内部自举装置。简单地
增加一个外部电容两端的BOOT和PHASE
销完成了自举电路。
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FN9076.5
2005年7月22日
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
